SPB35N10 G 全國供應商、價格、PDF資料

SPB35N10 G詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：35A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 26.4A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 83µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1570pF @ 25V

功率_最大：150W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：P-TO263-3

包裝：帶卷 (TR)

• RT0603FRE0753K6L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0603（1608 公制）    RES 53.6K OHM 1/10W 1% SMD 0603

• SDS101-PRW2-F25-SN00-6

  D-Sub    Sullins Connector Solutions    非標準    CONN D-SUB RCPT 25POS T/H GOLD

• RT0805DRD07845KL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0805（2012 公制）    RES 845K OHM 1/8W .5% SMD 0805

• SR072A4R7DARTR2

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 4.7PF 200V RADIAL

• SPB21N10 G

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK

• SFH 4651-Z

  紅外發射器，UV 發射器    OSRAM Opto Semiconductors Inc    3.2mm L x 2.25mm W x 1.60mm H    EMITTER 850NM MIDLED TOPLOOKER

• SN74S85NSRG4

  邏輯 - 比較器    Texas Instruments    16-SOIC（0.209"，5.30mm 寬）    IC COMPARATOR MAGNITUDE 16SOIC

• RT0603FRE0753R6L

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0603（1608 公制）    RES 53.6 OHM 1/10W 1% SMD 0603

• SDS101-PRW2-F50-SN00-1

  D-Sub    Sullins Connector Solutions    非標準    CONN D-SUB RCPT 50POS T/H GOLD

• SR072A560JAR

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 56PF 200V 5% RADIAL

• SN74S86DRG4

  邏輯 - 柵極和逆變器    Texas Instruments    14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC GATE XOR QUAD 2-INPUT 14SOIC

• SFH 4655-Z

  紅外發射器，UV 發射器    OSRAM Opto Semiconductors Inc    2-SMD，無引線    EMITTER 850NM MIDLED SIDELK SMD

• RT0805DRD07887KL

  芯片電阻 - 表面安裝    Yageo    0805（2012 公制）    RES 887K OHM 1/8W .5% SMD 0805

• SDS101-PRW2-M15-SN00-1

  D-Sub    Sullins Connector Solutions    非標準    CONN D-SUB PLUG 15POS T/H GOLD

• SR072A560JAR

  陶瓷    AVX Corporation    徑向    CAP CER 56PF 200V 5% RADIAL